[发明专利]一种GaN基P型栅极增强型HEMT器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201610178604.4 | 申请日： | 2016-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN105655388A | 公开（公告）日： | 2016-06-08 |
| 发明（设计）人： | 王成新;逯瑶 | 申请（专利权）人： | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/20 | 分类号： | H01L29/20;H01L29/43;H01L21/335;H01L29/778 |
| 代理公司： | 济南日新专利代理事务所 37224 | 代理人： | 王书刚 |
| 地址： | 261061 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 一种GaN基P型栅极增强型HEMT器件及其制备方法，该器件包括衬底层、沟道层、势垒层、栅极和漏极，沟道层设置在衬底层的上方，势垒层设置在沟道层的上方，栅极贯穿势垒层，漏极设置在势垒层上，栅极为P型金刚石；其制备方法包括以下步骤：（1）在衬底层上进行GaN沉积，形成沟道层；（2）在沟道层上生长AlGaN层；（3）在势垒层上生长一层p型金刚石，形成栅极；（4）在势垒层上且位于栅极的两侧分别形成源极和漏极。本发明采用金刚石P型栅极，可以提高能带,在栅压为0时耗尽沟道电子实现增强型特性，能够实现对器件阈值电压的调节,在提高漏极电流的同时保持较小的栅电流。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan 栅极 增强 hemt 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种GaN基P型栅极增强型HEMT器件，包括衬底层、沟道层、势垒层、栅极和漏极，其特征是，沟道层设置在衬底层的上方，势垒层设置在沟道层的上方，栅极在势垒层上方，漏极设置在势垒层上，栅极为P型金刚石。
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