[发明专利]用于提高氮化硅批间均匀度的非晶硅陈化作用

摘要

本发明实施方式提供用于在设置在处理腔室中的大尺寸基板上沉积含氮材料的方法。在一个实施方式中，所述方法包括：在处理腔室中处理一批基板，以在出自所述一批基板的基板上沉积含氮材料；以及在处理所述一批基板期间以预定间隔执行陈化处理，以在设置在所述处理腔室中的腔室组件的表面上沉积导电陈化层。所述腔室组件可包括气体分配板，所述气体分配板由未经阳极化处理的裸铝制成。在一个实例中，所述导电陈化层可包括非晶硅、掺杂非晶硅、掺杂硅、掺杂多晶硅、掺杂碳化硅或其他同类物。

主权项

1.一种处理基板的方法，包括：在不存在任何基板的情况下，执行第一腔室陈化处理，以在腔室组件的表面上沉积第一陈化层，所述腔室组件设置在处理腔室中；执行沉积处理，以在所述处理腔室内在第一批基板上沉积第一材料层；在所述第一批基板的最后一个基板沉积有所述第一材料层之后，在不存在任何基板的情况下，执行第二腔室陈化处理，以在所述腔室组件的所述表面上沉积导电陈化层，所述腔室组件设置在所述处理腔室中；以及在所述第二腔室陈化处理之后，执行所述沉积处理，以在所述处理腔室内在第二批基板上沉积第二材料层。