[发明专利]一种氮掺杂二氧化钛薄膜材料的制备方法有效
| 申请号： | 201610180065.8 | 申请日： | 2016-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN105671486B | 公开（公告）日： | 2018-11-02 |
| 发明（设计）人： | 丁万昱;刘金东 | 申请（专利权）人： | 大连交通大学 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/48;C23C14/58 |
| 代理公司： | 大连东方专利代理有限责任公司 21212 | 代理人： | 赵淑梅;李馨 |
| 地址： | 116028 辽宁*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种氮掺杂二氧化钛薄膜材料的制备方法，属于表面加工、涂层领域，所述制备方法为利用氮离子束将氮元素掺杂注入二氧化钛薄膜表面，得到氮掺杂二氧化钛薄膜材料；所述二氧化钛薄膜的晶体结构为非晶、多晶或非晶与多晶的混合，本发明有益效果为：通过调节二氧化钛薄膜材料的结晶程度、掺杂注入时间等参数，制备出具有不同氮元素掺杂量和掺杂状态的氮掺杂二氧化钛薄膜材料，实现氮元素掺杂量和掺杂状态的可调控。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 氧化 薄膜 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种氮掺杂二氧化钛薄膜材料的制备方法，其特征在于：所述制备方法为利用氮离子束将氮元素掺杂注入二氧化钛薄膜表面，得到氮掺杂二氧化钛薄膜材料；产生所述氮离子束的离子源阳极电压为500‑3500 V；所述氮离子束垂直于二氧化钛薄膜表面；所述二氧化钛薄膜的晶体结构为非晶、多晶或非晶与多晶的混合。
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