[发明专利]一种RIE制绒硅片表面修饰清洗方法

摘要

本发明公开一种RIE制绒硅片表面修饰清洗方法，包括如下步骤准备RIE制绒硅片，并检测绒面反射率；根据上述测试的反射率结果配制初次修饰清洗药液，将硅片绒面浸入所述初次修饰清洗药液中进行初次清洗；将RIE制绒硅片取出，并采用去离子水清洗，去除硅片表面残留的药液；采用二次清洗液继续对制绒硅片清洗；采用去离子水冲洗RIE制绒硅片，并用吹干。本发明根据RIE方法制绒的硅片表面特征配制特定比例的清洗药液，通过搭配适当的清洗温度和清洗时间有效去除硅片表面的缺陷，去除硅片绒面上尺寸严重偏小的凹坑，使绒面形貌平滑；采用本发明方法清洗后RIE绒面效果优异，可有效提高电池效率，且本发明工艺流程简单，易于在生产线上推广。

主权项

一种RIE制绒硅片表面修饰清洗方法，其特征在于包括如下步骤：(1)准备RIE制绒硅片，并检测绒面反射率；(2)根据上述检测的反射率结果配制初次修饰清洗药液，所述初次修饰清洗药液包括NH4F、HF、H2O2和H2O，所述NH4F、HF、H2O2和H2O的摩尔比为5:1:4～10:20～30；将硅片绒面浸入所述初次修饰清洗药液中进行初次清洗；(3)将RIE制绒硅片取出，并采用去离子水清洗，去除硅片表面残留的药液；(4)采用二次清洗液继续对制绒硅片清洗，所述二次清洗液包括HF、HCl和H2O，所述HF、HCl和H2O的摩尔比为1:1～3:6～9；(5)采用去离子水冲洗RIE制绒硅片，并用吹干。