[发明专利]一种反相光刻对准标记和其制作方法有效
| 申请号： | 201610181734.3 | 申请日： | 2016-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN105789181B | 公开（公告）日： | 2018-08-21 |
| 发明（设计）人： | 王辉 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/68 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种反相光刻对准标记，该反相光刻对准标记是在硅基体上刻蚀形成的，其深度为0.5～1.5μm；其深度需结合总膜质层数确定，膜质层数越多，则深度越深。本发明还提供一种反相光刻对准标记的制作方法，其包括如下步骤：1)在硅基体上淀积介质膜A；2)对介质膜1光刻、刻蚀,形成光刻对准标记；3)HDP/TEOS淀积oxide及CMP；4)光刻、刻蚀对准区域的介质膜A；5)从步骤4)中刻蚀掉介质膜A的位置继续向硅基体刻蚀，形成反相光刻对准标记。本发明提供的反相光刻对准标记及其制作方法，使得在半导体器件制作的多层膜质工艺中，后续层次能够实现精确对准，可以解决多层膜质堆叠工艺中光刻标记产生畸变甚至消失而影响对准精度甚至无法对准的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 光刻 对准 标记 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种反相光刻对准标记的制作方法，其特征在于，所述反相光刻对准标记应用于光波导多层膜质工艺中的精确对准，包括如下步骤：1）在硅基体上沉积介质膜A；2）对介质膜A光刻、刻蚀, 形成光刻对准标记；3）HDP/TEOS沉积氧化物介质及CMP；4）光刻、刻蚀对准标记区域的介质膜A ；5）从步骤4）中刻蚀掉介质膜A的位置继续向硅基体刻蚀，形成反相光刻对准标记，其深度为0.5～1.5μm。
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