[发明专利]半导体结构及其制作方法在审
| 申请号： | 201610181934.9 | 申请日： | 2016-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN106992167A | 公开（公告）日： | 2017-07-28 |
| 发明（设计）人： | 吴铁将 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 | 代理人： | 宋献涛 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体结构及其制作方法。半导体结构包含基板和电容结构。基板具有第一盲孔及沟槽，第一盲孔连通沟槽，第一盲孔具有第一深度，沟槽具有小于第一深度的第二深度。电容结构包含第一内导体、第一内绝缘体及外导体。第一内导体位于第一盲孔中，第一内绝缘体环绕第一内导体，外导体具有第一部分环绕第一内绝缘体，及一延伸部分从第一部分延伸出来，第一部分位于第一盲孔中，延伸部分位于沟槽中，第一内导体是借由第一内绝缘体与外导体隔离。借此，本发明的半导体结构为小尺寸，并且其电容值可以被轻易调整以满足所有种类的电源供应器。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包含：基板，其具有第一盲孔及沟槽，所述第一盲孔连通所述沟槽，所述第一盲孔具有第一深度，所述沟槽具有小于所述第一深度的第二深度；以及电容结构，其包含：第一内导体，其位于所述第一盲孔中；第一内绝缘体，其环绕所述第一内导体；以及外导体，其具有第一部分环绕所述第一内绝缘体，及一延伸部分从所述第一部分延伸出来，所述第一部分位于所述第一盲孔中，所述延伸部分位于所述沟槽中，其中所述第一内导体是借由所述第一内绝缘体与所述外导体隔离。
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