[发明专利]使用在包括嵌入式管芯的内建非凹凸层衬底上的硅通孔的管芯堆叠，以及其形成工艺有效
| 申请号： | 201610182528.4 | 申请日： | 2011-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN105590913B | 公开（公告）日： | 2018-11-30 |
| 发明（设计）人： | J·古扎克;R·K·纳拉;J.索托冈萨雷斯;D·德莱尼;S·波素库奇;M·玛莫迪亚;E·扎波科;J·斯旺 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/538;H01L25/03 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 姬利永 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了使用在包括嵌入式管芯的内建非凹凸层衬底上的硅通孔的管芯堆叠以及其形成工艺。一种装置包括具有硅通孔(TSV)嵌入式管芯的无核衬底，该管芯集成到无核衬底。该装置包括耦合到TSV管芯并设置在无核衬底上方的后续管芯。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 包括 嵌入式 管芯 内建非 凹凸 衬底 硅通孔 堆叠 及其 形成 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种微电子器件，包括：包括设置在其中的硅通孔的第一管芯(第一TSV管芯)；其中所述第一TSV管芯电连接到衬底并嵌入在所述衬底的第一电介质层中；所述第一TSV管芯包括有源表面和背侧表面；以及其中设置在所述衬底中的至少一条迹线通过设置在所述衬底的第一电介质层内的填充通孔连接到所述第一TSV管芯有源表面上的至少一个管芯结合盘；以及与所述第一TSV管芯接触且包括设置在其中的硅通孔的第二管芯(第二TSV管芯)；其中所述第二TSV管芯的至少一个硅通孔与所述第一TSV管芯的至少一个硅通孔电接触。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英特尔公司，未经英特尔公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610182528.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体器件
- 下一篇：可穿戴装置的柔性系统级封装解决方案
