[发明专利]在用于接合管芯的中介层中的具有不同尺寸的TSV有效
| 申请号： | 201610182673.2 | 申请日： | 2010-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN105845636B | 公开（公告）日： | 2019-05-21 |
| 发明（设计）人： | 蔡柏豪;林俊成;余振华 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/13 | 分类号： | H01L23/13;H01L23/14;H01L23/31;H01L23/48;H01L23/498;H01L25/00;H01L25/065;H01L21/48;H01L21/683;H01L21/768;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种器件包括中介层，中介层包括具有顶面和底面的衬底。多个衬底通孔(TSV)穿过衬底。多个TSV包括具有第一长度和第一水平尺寸的第一TSV，以及具有不同于第一长度的第二长度和不同于第一水平尺寸的第二水平尺寸的第二TSV。互连结构被形成为置于衬底的顶面，并且电连接到所述多个TSV。本发明还提供了一种在用于接合管芯的中介层中的具有不同尺寸的TSV。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 接合 管芯 中介 中的 具有 不同 尺寸 tsv | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：中介层，包括具有顶面和底面的衬底；多个衬底通孔，穿过所述衬底，其中，所述多个衬底通孔包括具有第一长度和第一水平尺寸的第一衬底通孔和具有不同于所述第一长度的第二长度以及不同于所述第一水平尺寸的第二水平尺寸的第二衬底通孔，其中，所述第一水平尺寸大于所述第二衬底通孔的所述第二水平尺寸；以及第一互连结构，被形成为置于所述衬底的所述顶面上并且电连接至所述多个衬底通孔，第一管芯，置于所述第一互连结构上；以及第二管芯，置于所述衬底的所述底面下并且电连接至所述第二衬底通孔，其中，所述第二管芯的底面低于所述衬底的最下底面。
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