[发明专利]一种大功率芯片散热装置制作方法

摘要

本发明涉及微电子散热领域，尤其是一种大功率芯片散热装置制作方法。本发明所要解决的技术问题是：针对现有技术存在的大功率芯片高热流密度、散热困难的问题，提供一种大功率芯片散热装置制作方法。本发明采用了高导热金刚石铜复合材料作为大功率半导体散热热沉，同时在金刚石铜热沉上设计微流通道，并通过液体相变层，采用焊接技术形成蒸汽腔，然后抽真空，注入工作介质，最后收口，然后通过大功率芯片直接焊接在带有蒸汽空腔的金刚石铜载体上，利用金刚石铜高导热率和液体相变散热，提高大功率芯片的散热效率。

主权项

一种大功率芯片散热装置制作方法，其特征在于包括：步骤1：采用激光或者水刀在金刚石铜顶板及金刚石铜底板上，加工微流道；其中金刚石铜顶板的边缘与中间部分最大高度差w，金刚石铜底板与中间部分最大高度差w；步骤2：在金刚石铜底板、金刚石铜顶板中间部分内壁上设置液体相变层；金刚石铜顶板边缘设置通气孔；步骤3：焊接金刚石铜底板边缘与金刚石铜顶板边缘部分，形成具有蒸汽腔的焊接工件；步骤4：采用检漏仪检测步骤3中焊接处是否满足气密要求；若满足焊接要求，执行步骤5；否则，重新焊接；步骤5：通过通气孔将焊接工件抽真空，然后通过通气孔在微流道中注入工作介质，然后将通气孔密封；步骤6：将大功率芯片焊接在金刚石铜顶板外壁顶端，并采用X射线检测焊接空洞，完成制作。