[发明专利]半导体发光器件及其制造方法

摘要

本发明实施例提供一种半导体发光器件及制造方法，发光器件包括绝缘基底、电流扩散层、发光结构层以及绝缘层。电流扩散层包括第一电极连接部、第二电极连接部、位于第一电极连接部与第二电极连接部之间的N个接触部、以及连接于第一电极连接部与接触部之间、N个接触部之间以及第二电极连接部与接触部之间的N+1个平展部，N为自然数。N+1个发光结构层对应设置在N+1个平展部上，每个发光结构层包括依次层叠在对应的平展部上的第一半导体层、活性层以及第二半导体层，第二半导体层远离活性层的一面形成有与N个接触部配合的至少N个沟槽，至少N个沟槽的深度小于第二半导体层的厚度，至少N个接触部与至少N个所述沟槽相对应。

主权项

一种半导体发光器件，其特征在于，所述半导体发光器件包括：绝缘基底；设置在所述绝缘基底上的电流扩散层，所述电流扩散层包括：第一电极连接部，第二电极连接部，位于所述第一电极连接部与所述第二电极连接部之间的N个接触部，以及连接于所述第一电极连接部与所述接触部之间、所述N个接触部之间以及所述第二电极连接部与所述接触部之间的平展部，所述平展部的个数为N+1个，N为自然数；对应设置在所述N+1个平展部上的N+1个发光结构层，每个所述发光结构层包括：依次层叠在对应的所述平展部上的第一半导体层、活性层以及第二半导体层，所述第二半导体层远离所述活性层的一面形成有与所述N个接触部配合的至少N个沟槽，所述至少N个沟槽的深度小于所述第二半导体层的厚度，所述至少N个接触部与至少N个所述沟槽相对应；以及绝缘层；其中，所述第一电极连接部和与其相邻的所述发光结构层的侧面之间设置有所述绝缘层，所述第一电极连接部通过与其相邻的平展部与设置在该平展部上的发光结构层的第一半导体层连接，所述第二电极连接部和与其相邻的所述发光结构层的活性层的侧面、第一半导体层的侧面以及与平展部的侧面之间设置有所述绝缘层，所述第二电极连接部的远离所述绝缘基板的端面的一部分和与其相邻的发光结构层的第二半导体层连接，每个所述接触部与位于所述接触部靠近所述第一电极连接部一侧的发光结构层的活性层的侧面、第一半导体层的侧面以及所述平展部的侧面之间设置有所述绝缘层，与位于所述接触部靠近所述第二电极连接部一侧的发光结构层的侧面之间设置有所述绝缘层，每个所述接触部远离所述绝缘基板的端面与位于该接触部靠近所述第一电极连接部一侧的发光结构层的第二半导体层连接，通过位于该接触部靠近所述第二电极连接部一侧的平展部与该平展部上的第一半导体层连接。