[发明专利]基于图形化Si衬底的LED外延片及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201610187818.8 申请日: 2016-03-29
公开(公告)号: CN105591004B 公开(公告)日: 2020-07-10
发明(设计)人: 张丽旸;程凯 申请(专利权)人: 苏州晶湛半导体有限公司
主分类号: H01L33/44 分类号: H01L33/44;H01L33/12;H01L33/16;H01L33/00
代理公司: 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 代理人: 冯倩
地址: 215123 江苏省苏州市工业园区金鸡*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种基于图形化Si衬底的LED外延片及其制备方法,所述LED外延片包括:图形化Si衬底、生长在图形化Si衬底上的Al2O3涂层;在Al2O3涂层上依次生长出成核层、第一缓冲层、第一插入层、第二缓冲层、第二插入层、n‑GaN层、InGaN/GaN量子阱层、p‑GaN层、与n‑GaN层电连接的n电极、以及与p‑GaN层电连接的p电极。本发明更适用于制备大尺寸的LED外延片,且晶体质量提高,LED管芯的光提取效率提升。
搜索关键词: 基于 图形 si 衬底 led 外延 及其 制备 方法
【主权项】:
一种基于图形化Si衬底的LED外延片,其特征在于,所述LED外延片包括:图形化Si衬底;生长在图形化Si衬底上的Al2O3涂层;以及在Al2O3涂层上依次生长的外延层。
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