[发明专利]一种用于微波芯片共晶加压的装置及加压方法在审
申请号: | 201610189122.9 | 申请日: | 2016-03-29 |
公开(公告)号: | CN105789071A | 公开(公告)日: | 2016-07-20 |
发明(设计)人: | 王辉;庞婷 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第二十九研究所 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L21/603;H01L21/67 |
代理公司: | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 | 代理人: | 钱成岑 |
地址: | 610036 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明涉及微波芯片共晶技术,本发明公开了一种用于微波芯片共晶加压的装置,具体包括基板限位器、芯片限位器和点接触压块,芯片限位器上设置芯片限位孔,所述芯片限位孔的尺寸与芯片的尺寸相匹配,用作芯片的限位;芯片的下表面通过焊片与基板的上表面相接触;所述点接触压块的底板上设置微支撑柱,微支撑柱的数量小于或者等于芯片上表面的焊盘数量,微支撑柱的位置与芯片上表面的焊盘位置镜像对称,点接触压块上的微支撑柱与芯片上表面的焊盘相接触。芯片与基板共晶时,点接触压块上只有微支撑柱与芯片表面的焊盘相接触,避免了微波芯片表面“空气桥”等特殊结构的损伤。本发明还公开了一种微波芯片共晶加压方法。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 微波 芯片 加压 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种用于微波芯片共晶加压的装置,其特征在于具体包括基板限位器、芯片限位器和点接触压块,所述基板限位器内部设置基板限位槽和芯片限位器限位槽,基板限位槽的边缘与微波芯片的基板边缘相接触,芯片限位器限位槽的边缘与芯片限位器的边缘相接触,芯片限位器上设置芯片限位孔,所述芯片限位孔的尺寸与芯片的尺寸相匹配,用作芯片的限位;所述芯片的下表面通过焊片与基板的上表面相接触;所述点接触压块的底板上设置微支撑柱,微支撑柱的数量小于或者等于芯片上表面的焊盘数量,微支撑柱的位置与芯片上表面的焊盘位置镜像对称,点接触压块上的微支撑柱与芯片上表面的焊盘相接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造