[发明专利]一种高性能GeSbTe基热电材料的制备方法有效
| 申请号： | 201610191041.2 | 申请日： | 2016-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN107293637B | 公开（公告）日： | 2020-04-21 |
| 发明（设计）人： | 唐新峰;齐尼玛纳·艾瑞思;邓日桂;苏贤礼;鄢永高 | 申请（专利权）人： | 武汉理工大学 |
| 主分类号： | H01L35/34 | 分类号： | H01L35/34;H01L35/16 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人： | 唐万荣 |
| 地址： | 430070 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高性能GeSbTe基热电材料的制备方法，包括以下步骤：1)以Ge、Sb和Te单质为原料，按化学计量比称量各原料，进行熔融处理，随炉冷却至室温得锭体产物；2)将所得锭体产物进行感应熔炼、熔融旋甩，制得薄带产物；3)将步骤2)所得薄带产物进行研磨，然后进行放电等离子烧结，即得所述GeSbTe基热电材料。本发明通过对GeTe进行Sb掺杂，有效降低并GeTe基热电材料的载流子浓度，并将熔融烧结方法与熔融旋甩技术相结合，在保证GeSbTe基体系结构和成分信息的基础上，进一步通过熔体旋甩工艺进行微结构调控，从而制备结构精细、成分稳定、热电性能优异的GeSbTe基热电材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 性能 gesbte 热电 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高性能GeSbTe基热电材料的制备方法，包括以下步骤：1)以Ge、Sb和Te单质为原料，按Ge0.99‑xSbxTe(0.01≤x≤0.10)的化学计量比称量各原料，将称取的原料装入石英试管中真空密封，然后将石英管放入熔融炉中进行熔融处理，最后随炉冷却至室温，得锭体产物；2)将步骤1)所得锭体产物置于带有喷嘴的石英管中，然后将石英管置于射频铜辊上方进行感应熔炼、熔融旋甩，制得薄带产物；3)将步骤2)所得薄带产物进行研磨，然后进行放电等离子烧结，即得所述GeSbTe基热电材料。
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