[发明专利]一种砷化镓基高电压黄绿光发光二极管芯片及其制作方法有效
| 申请号： | 201610191079.X | 申请日： | 2016-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN105702822B | 公开（公告）日： | 2017-11-28 |
| 发明（设计）人： | 赵宇;林鸿亮;张双翔;杨凯;何胜;李洪雨;田海军 | 申请（专利权）人： | 扬州乾照光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/30;H01L33/00 |
| 代理公司： | 扬州市锦江专利事务所32106 | 代理人： | 江平 |
| 地址： | 225009 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种砷化镓基高电压黄绿光发光二极管芯片及其制作方法，属于光电子技术领域，特点是在p型载流子限制层上依次沉积形成GaP电阻层和GaP窗口层，形成的产品在p型载流子限制层和GaP窗口层之间还设置了GaP电阻层。本发明制作工艺简单、合理，制成的产品优质、稳定。在不牺牲产品可靠性的同时将串联电阻集成在LED芯片中，在20 mA工作电流条件下，7 mil ×7 mil尺寸LED芯片的工作电压可达2.35 V以上，可以直接使用与GaP基二元系高电压黄绿光LED兼容的驱动电路。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 砷化镓基高 电压 黄绿 发光二极管 芯片 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种砷化镓基底高电压黄绿光发光二极管芯片，其特征在于：包括依次设置在n型GaAs基片一侧的n型GaAs缓冲层、n型Bragg反射镜层、n型载流子限制层、多量子阱有源区层、p型载流子限制层、GaP电阻层和GaP窗口层，在GaP窗口层下方设置GaP电阻层。
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