[发明专利]改善二次雷达脉冲信号上升和下降沿的装置及其改善方法

摘要

本发明属于单脉冲二次雷达系统领域，特别涉及一种改善二次雷达脉冲信号上升和下降沿的装置及其改善方法。本发明包括PIN开关单元和功率放大器单元，所述PIN开关单元的信号输入端、控制端分别连接射频输入信号、TTL控制信号，所述PIN开关单元的信号输出端连接功率放大器单元的信号输入端，所述功率放大器单元的信号输出端输出射频输出信号。通过TTL控制信号来控制PIN开关单元的导通和截止，不仅改善了二次雷达脉冲信号的上升和下降沿，使上升沿和下降沿满足50ns～100ns的指标要求，而且本发明具备结构简单、使用方便、成本低廉的特点。

主权项

1.改善二次雷达脉冲信号上升和下降沿的装置，其特征在于：包括PIN开关单元(10)和功率放大器单元(20)，所述PIN开关单元(10)的信号输入端、控制端分别连接射频输入信号、TTL控制信号，所述PIN开关单元(10)的信号输出端连接功率放大器单元(20)的信号输入端，所述功率放大器单元(20)的信号输出端输出射频输出信号；所述PIN开关单元(10)包括PIN二极管(V2)，所述PIN二极管(V2)的正极端连接第十四电容(C14)、第一电感(L1)的一端，所述第十四电容(C14)的另一端连接射频输入信号，第一电感(L1)的另一端连接第十五电容(C15)、第十六电容(C16)的一端、以及TTL控制信号，所述第十五电容(C15)、第十六电容(C16)的另一端均接地，所述PIN二极管(V2)的负极端连接第二电感(L2)的一端、功率放大器单元(20)的信号输入端，所述第二电感(L2)的另一端接地；所述功率放大器单元(20)包括功率晶体管(V1)，所述功率晶体管(V1)的栅极连接第一电容(C1)、第一电阻(R1)、第四电容(C4)、第五电容(C5)的一端，所述第一电容(C1)的另一端连接PIN二极管(V2)的负极端以及第二电感(L2)的一端，所述第一电阻(R1)的另一端、以及第二电容(C2)、第三电容(C3)的一端均连接所述功率晶体管(V1)的栅极输入电压，所述第二电容(C2)、第三电容(C3)、第四电容(C4)、第五电容(C5)的另一端均接地，所述功率晶体管(V1)的漏极连接第六电容(C6)、第七电容(C7)、第八电容(C8)、第九电容(C9)、第十电容(C10)、第十一电容(C11)、第十二电容(C12)、第十三电容(C13)的一端、以及漏极供电电源，所述第七电容(C7)、第八电容(C8)、第九电容(C9)、第十电容(C10)、第十一电容(C11)、第十二电容(C12)、第十三电容(C13)的另一端均接地，所述第六电容(C6)的另一端输出射频输出信号；所述PIN二极管(V2)的型号为美国M/A‑COM公司生产的MADP‑042405‑13060；所述功率晶体管(V1)为500W的LDMOS RF功率晶体管。