[发明专利]带温度检测的功率半导体器件及其制作方法有效
申请号: | 201610194923.4 | 申请日: | 2016-03-31 |
公开(公告)号: | CN107301947B | 公开(公告)日: | 2019-11-05 |
发明(设计)人: | 吴海平;肖秀光;黄宝伟 | 申请(专利权)人: | 比亚迪股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/28 | 分类号: | H01L21/28;H01L29/40;G01R31/26;G01R19/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518118 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提出了一种带温度检测的功率半导体器件,通过在第一导电类型衬底的正面形成有相互连接的第一金属区和第二金属区,且所述第一金属区和第二金属区在相同的温度下可以产生不同的感应电势,当需要进行温度检测时,只需要将从第一金属区引出的第一金属电极和从第二金属区引出的第二金属电极与外部电流检测元件连接形成回路,通过检测回路中的电流即可检测功率半导体器件的温度,根据本发明实施例中的功率半导体器件,热量的传递无需通过功率器件到传导介质再到温度检测元件的热传导路径,能够更准确的检测功率半导体器件的温度。 | ||
搜索关键词: | 温度 检测 功率 半导体器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
1.一种带温度检测的功率半导体器件,其特征在于,第一导电类型衬底的正面形成有相互连接的第一金属区和第二金属区,从所述第一金属区引出有第一金属电极,从所述第二金属区引出有第二金属电极,所述第一金属电极与第二金属电极之间通过绝缘层隔离,且所述第一金属区和第二金属区在相同的温度下产生不同的感应电势,所述第一金属区和第二金属区被所述绝缘层包绕,且所述绝缘层内第一金属区的上方设置有第一开口,所述绝缘层内第二金属区的上方设置有第二开口,所述第一开口内填充有第一金属电极,所述第二开口内填充有第二金属电极,所述第一金属电极和第二金属电极与外部电流检测元件连接形成回路,通过检测所述回路中的电流大小来检测功率半导体器件的温度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于比亚迪股份有限公司,未经比亚迪股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610194923.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:电开关设备
- 下一篇:以裸片接合到形成的重布线的三维集成电路形成方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造