[发明专利]低相位噪声射频频率合成电路有效

专利信息
申请号: 201610195107.5 申请日: 2016-03-31
公开(公告)号: CN105763190B 公开(公告)日: 2018-07-17
发明(设计)人: 邱紫敬;祁峰;明刚;钟达;梅刚华 申请(专利权)人: 中国科学院武汉物理与数学研究所
主分类号: H03L7/18 分类号: H03L7/18
代理公司: 武汉宇晨专利事务所 42001 代理人: 李鹏;王敏锋
地址: 43007*** 国省代码: 湖北;42
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了低相位噪声射频频率合成电路,包括低相噪晶振,低相噪晶振与一级信号放大器的输入端连接,一级信号放大器的输出端与一级SBD三倍频器的输入端连接,一级SBD三倍频器的输出端与二级信号放大器的输入端连接,二级信号放大器的输出端与调制器的第一输入端连接,调制器的第二输入端接入三角波,调制器的输出端与二级SBD三倍频器的输入端连接,二级SBD三倍频器的输出端与三级信号放大器的输入端连接。具有相位噪声低、谐杂波特性优良、易于调试等优点。利用这种电路可显著改善铷频标微波探寻信号的相位噪声,降低交调效应对铷频标频率稳定度的限制。
搜索关键词: 输入端连接 输出端 三倍频器 放大器 调制器 射频频率合成电路 低相位噪声 信号放大器 二级信号 相位噪声 晶振 频率稳定度 输入端接入 三级信号 探寻信号 杂波特性 三角波 电路 调试 微波
【主权项】:
1.低相位噪声射频频率合成电路,包括低相噪晶振(1),其特征在于,低相噪晶振(1)与一级信号放大器(2)的输入端连接,一级信号放大器(2)的输出端与一级SBD三倍频器(3)的输入端连接,一级SBD三倍频器(3)的输出端与二级信号放大器(4)的输入端连接,二级信号放大器(4)的输出端与调制器(5)的第一输入端连接,调制器(5)的第二输入端接入三角波,调制器(5)的输出端与二级SBD三倍频器(6)的输入端连接,二级SBD三倍频器(6)的输出端与三级信号放大器(7)的输入端连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院武汉物理与数学研究所,未经中国科学院武汉物理与数学研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610195107.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top