[发明专利]低相位噪声射频频率合成电路有效
申请号: | 201610195107.5 | 申请日: | 2016-03-31 |
公开(公告)号: | CN105763190B | 公开(公告)日: | 2018-07-17 |
发明(设计)人: | 邱紫敬;祁峰;明刚;钟达;梅刚华 | 申请(专利权)人: | 中国科学院武汉物理与数学研究所 |
主分类号: | H03L7/18 | 分类号: | H03L7/18 |
代理公司: | 武汉宇晨专利事务所 42001 | 代理人: | 李鹏;王敏锋 |
地址: | 43007*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明公开了低相位噪声射频频率合成电路,包括低相噪晶振,低相噪晶振与一级信号放大器的输入端连接,一级信号放大器的输出端与一级SBD三倍频器的输入端连接,一级SBD三倍频器的输出端与二级信号放大器的输入端连接,二级信号放大器的输出端与调制器的第一输入端连接,调制器的第二输入端接入三角波,调制器的输出端与二级SBD三倍频器的输入端连接,二级SBD三倍频器的输出端与三级信号放大器的输入端连接。具有相位噪声低、谐杂波特性优良、易于调试等优点。利用这种电路可显著改善铷频标微波探寻信号的相位噪声,降低交调效应对铷频标频率稳定度的限制。 | ||
搜索关键词: | 输入端连接 输出端 三倍频器 放大器 调制器 射频频率合成电路 低相位噪声 信号放大器 二级信号 相位噪声 晶振 频率稳定度 输入端接入 三级信号 探寻信号 杂波特性 三角波 电路 调试 微波 | ||
【主权项】:
1.低相位噪声射频频率合成电路,包括低相噪晶振(1),其特征在于,低相噪晶振(1)与一级信号放大器(2)的输入端连接,一级信号放大器(2)的输出端与一级SBD三倍频器(3)的输入端连接,一级SBD三倍频器(3)的输出端与二级信号放大器(4)的输入端连接,二级信号放大器(4)的输出端与调制器(5)的第一输入端连接,调制器(5)的第二输入端接入三角波,调制器(5)的输出端与二级SBD三倍频器(6)的输入端连接,二级SBD三倍频器(6)的输出端与三级信号放大器(7)的输入端连接。
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