[发明专利]全背场扩散N型硅基电池及其制备方法

摘要

本发明涉及一种全背场扩散N型硅基电池及其制备方法，包括N型硅基本体，电池背面为发射极，背面发射极上用氧化硅、氧化铝等形成钝化膜，钝化膜外侧沉积氮化硅，其上为铝背场和电极；正面采用氧化硅和氮化硅组合形成钝化减反射层，外部为穿透型浆料形成的电极；主要制备流程为：双面抛光，单面硼扩散，单面酸洗，二次制绒，磷掺杂，去BSG和PSG，钝化，镀减反射层，激光，金属化。本发明pn结靠近背面，金属电极和钝化层有较高的光电转化效率；开路电压和短路电流均较常规N型电池高出较多，电池转换效率高，完全符合市场大功率组件的要求；同时制备工艺简单易行，和原有的p型晶硅电池流程兼容，并不用造成设备浪费，适合大规模工业生产。

主权项

一种全背场扩散N型硅基电池，包括N型硅基本体，其特征在于：所述的N型硅基本体的正面自下而上依次设置有正面磷扩散n+层、正面氧钝化层、以及正面减反射层；正面银电极穿透设置在正面磷扩散n+层、正面氧钝化层、以及正面减反射层之间；所述的N型硅基本体的背面自上而下依次设置有硼扩散p+层、背面氧钝化层、背面保护层以及铝背场；所述的硼扩散p+层上具有由于激光开槽和铝厂烧结造成的p+层扩大区域；N型硅基电池的PN结设置于N型硅基本体的背面；所述的铝背场上设置有背面银电极以及激光开孔部分的铝背场填充区域。