[发明专利]LED芯片、LED芯片封装结构及制作方法在审
| 申请号： | 201610197321.4 | 申请日： | 2016-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN107293626A | 公开（公告）日： | 2017-10-24 |
| 发明（设计）人： | 张杰;彭遥 | 申请（专利权）人： | 比亚迪股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/48;H01L33/64;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518118 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提出一种LED芯片，包括外延片，所述外延片上具有第一电极区域和第二电极区域，所述第一电极区域内设有第一正极和第一负极，所述第二电极区域内设有第二正极和第二负极；所述外延片上设有用于电隔离的沟槽，所述第一正极和第二负极位于所述沟槽的一侧，所述第一负极和第二正极位于所述沟槽的另一侧；共晶层，所述共晶层包括第一共晶层和第二共晶层，所述第一共晶层设置于第一电极区域并覆盖第一正极和第一负极，所述第二共晶层设置于第二电极区域并覆盖第二正极和第二负极。该LED芯片可以直接采用交流电驱动，相比直流LED芯片，无需直流驱动电源，提高了电功转换效率，而且散热效果更好，增加了LED芯片的使用寿命和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | led 芯片 封装 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
一种LED芯片，其特征在于，包括：外延片，所述外延片上具有第一电极区域和第二电极区域，所述第一电极区域内设有第一正极和第一负极，所述第二电极区域内设有第二正极和第二负极；所述外延片上设有用于电隔离的沟槽，所述第一正极和第二负极位于所述沟槽的一侧，所述第一负极和第二正极位于所述沟槽的另一侧；共晶层，所述共晶层包括第一共晶层和第二共晶层，所述第一共晶层设置于第一电极区域并覆盖第一正极和第一负极，所述第二共晶层设置于第二电极区域并覆盖第二正极和第二负极。
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