[发明专利]一种吡咯烷精制脱水的全温程变压吸附方法有效

专利信息
申请号: 201610198578.1 申请日: 2016-04-01
公开(公告)号: CN107281895B 公开(公告)日: 2020-03-17
发明(设计)人: 陈运;刘开莉;钟雨明;蔡跃明 申请(专利权)人: 四川天采科技有限责任公司
主分类号: B01D53/047 分类号: B01D53/047;B01D53/26;C07D295/023;C07D295/027
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 610041 四川省成都市*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明一种吡咯烷精制脱水的全温程变压吸附方法涉及吡咯烷精制脱水,属于精细化工材料提纯领域。本发明的目的在于提供一种吡咯烷生产过程中的气相物料流脱水的的全温程变压吸附方法,该方法能够将吡咯烷的含水量控制在0.05%以下,同时在确保产品质量的基础上,还能有效减少能耗,提高吸附剂的利用率,解吸液返回前面生产工段,无污染物排放,保证整个工段生产的连续性。
搜索关键词: 一种 吡咯烷 精制 脱水 全温程 变压 吸附 方法
【主权项】:
一种吡咯烷精制脱水的全温程变压吸附方法,包括以下步骤:(a)将气相物料流原料气从一级吸附塔的顶部送入,并在一级吸附塔内进行吸附分离,一级吸附塔内的吸附剂将原料气中的水分吸附,未被吸附的气体从一级吸附塔的底部排出,进入产品气储罐中,得到的产品气中,吡咯烷的含量为99.95~99.99%;(b)一级吸附塔内的吸附剂完成吸附后,进入再生阶段,与此同时,气相物料流原料气从二级吸附塔的顶部送入,并在二级吸附塔内进行吸附反应,未被吸附的气体从二级吸附塔的底部排出,进入到产品气储罐中,得到的产品气中,吡咯烷的含量为99.95~99.99%;(c)一级吸附塔完成再生后,再次进入到吸附状态;二级吸附塔完成吸附后,进入再生阶段;(d)循环以上步骤,直至气相物料流原料气中的水分含量达到要求。
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