[发明专利]硅晶片的制造方法有效
| 申请号： | 201610198592.1 | 申请日： | 2016-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN106048732B | 公开（公告）日： | 2018-11-30 |
| 发明（设计）人： | 须藤治生;荒木浩司;青木龙彦;前田进 | 申请（专利权）人： | 环球晶圆日本股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/02 | 分类号： | C30B33/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张桂霞;刘力 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种硅晶片的制造方法，该方法可使半导体设备形成区域的COP或氧析出核等晶体缺陷减少，可抑制设备形成工序中的热处理时的滑移位错的发生。硅晶片的制造方法，具备如下工序：工序1，将由通过CZ法生成的硅单晶锭切成的原料硅晶片在氧化性气体环境中、在最高到达温度设为1300℃以上且1380℃以下进行热处理；工序2，对通过工序1得到的热处理硅晶片进行剥离处理，剥离该热处理硅晶片表面的氧化膜；以及工序3，将通过工序2得到的被剥离硅晶片在非氧化性气体环境中、在最高到达温度设为1200℃以上且1380℃以下、升温速度设为1℃/秒以上且150℃/秒以下进行热处理，使所得硅晶片的表面～深7μm的区域的氧浓度最大值达到1.3×1018atoms/cm3以下。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.硅晶片的制造方法，其特征在于，具备如下工序：工序1，将由通过提拉法生成的硅单晶锭切成的原料硅晶片在氧化性气体环境中、在最高到达温度设为1300℃以上且1380℃以下进行热处理；工序2，对通过工序1得到的热处理硅晶片进行剥离处理，剥离该热处理硅晶片表面的氧化膜；以及工序3，将通过工序2得到的被剥离硅晶片在非氧化性气体环境中、在最高到达温度设为1200℃以上且1380℃以下、升温速度设为10℃/秒以上且150℃/秒以下进行热处理，使所得硅晶片的表面～深7μm的区域的氧浓度达到1.3×1018atoms/cm3以下，其中，原料硅晶片的氧浓度为0.9～1.3×1018atoms/cm3。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于环球晶圆日本股份有限公司，未经环球晶圆日本股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610198592.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：缝纫机
- 下一篇：用于涡轮机的热管温度管理系统
