[发明专利]一种SiC环状浮点型P+结构结势垒肖特基二极管及制备方法在审
| 申请号： | 201610199796.7 | 申请日： | 2016-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN105720110A | 公开（公告）日： | 2016-06-29 |
| 发明（设计）人： | 王成森;沈怡东;钱清友;张超;周榕榕;黎重林;薛治祥;颜呈祥 | 申请（专利权）人： | 江苏捷捷微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 卢海洋 |
| 地址： | 226200 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种SiC环状浮点型P+结构结势垒肖特基二极管，包括肖特基接触区、SiO2隔离介质、N‑外延层、N+衬底区和欧姆接触区，所述N+衬底区上面设有N‑外延层，所述N‑外延层上设有肖特基接触区和SiO2隔离介质，所述N+衬底区下面设有欧姆接触区，其特征在于：所述N‑外延层和肖特基接触区之间设有多个环状浮点型P+注入区。本发明的优点：在传统JBS器件结构基础上引入环状浮点型P+结构，增大有源区肖特基接触面积，增大导通路径，提高器件的正向导通电流，降低导通电阻，而反向漏电流增加并不明显，解决缓解了器件正向导通电阻和反向击穿电压相互制约矛盾等问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sic 环状 浮点 结构 结势垒肖特基 二极管 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种SiC环状浮点型P+结构结势垒肖特基二极管，包括肖特基接触区、SiO2隔离介质、N‑外延层、N+衬底区和欧姆接触区，所述N+衬底区上面设有N‑外延层，所述N‑外延层上设有肖特基接触区和SiO2隔离介质，所述N+衬底区下面设有欧姆接触区，其特征在于：所述N‑外延层和肖特基接触区之间设有多个环状浮点型P+注入区。
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