[发明专利]一种LED芯片用键合衬底的制备方法在审
| 申请号： | 201610203193.X | 申请日： | 2016-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN105762263A | 公开（公告）日： | 2016-07-13 |
| 发明（设计）人： | 云峰;郭茂峰;苏喜林 | 申请（专利权）人： | 陕西新光源科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L33/62 | 分类号： | H01L33/62;H01L33/00 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 闵岳峰 |
| 地址： | 710077 陕西省西安市雁塔*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种LED芯片用键合衬底的制备方法，包括以下步骤：1)在起始键合衬底上制备牺牲层金属；2)对起始键合衬底上的牺牲层金属利用退火工艺进行表面改性处理，在键合衬底和牺牲层金属间形成过渡层金属；3)腐蚀去除起始键合衬底上剩余牺牲层金属；4)在过渡层金属上制备永久键合金属层，以形成最终的键合衬底。4)在过渡层金属上制备永久键合金属层，以形成最终的键合衬底。本发明提供的一种LED芯片用键合衬底的制备方法，在起始键合衬底表面制备牺牲层金属结构，通过处理形成过渡层金属，起到降低起始键合衬底与外延片间的热膨胀系数差的作用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 led 芯片 用键合 衬底 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种LED芯片用键合衬底的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1)在起始键合衬底(101)上制备牺牲层金属(102)；2)对起始键合衬底上的牺牲层金属(102)利用退火工艺进行表面改性处理，在键合衬底和牺牲层金属间形成过渡层金属(103)；3)腐蚀去除起始键合衬底上剩余的全部牺牲层金属(102)；4)在过渡层金属(103)上制备永久键合金属层(104)，以形成最终的键合衬底。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于陕西新光源科技有限责任公司，未经陕西新光源科技有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610203193.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
