[发明专利]一种在磁场诱导下氮化铁干扰抑制材料的制备方法有效

专利信息
申请号: 201610204491.0 申请日: 2016-04-04
公开(公告)号: CN105679485B 公开(公告)日: 2017-06-20
发明(设计)人: 王群;张龙定;金鑫;姚晓明;瞿志学;唐章宏 申请(专利权)人: 北京工业大学
主分类号: H01F1/147 分类号: H01F1/147;C21D1/26;B22F1/00
代理公司: 北京思海天达知识产权代理有限公司11203 代理人: 刘萍
地址: 100124 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 一种在磁场诱导下氮化铁干扰抑制材料的制备方法,属于磁性材料制备领域。本发明先将磁粉进行扁平化处理,采用无氧环境退火时,通过外加定向磁场,磁场热处理使其具有热磁各向异性和磁晶各向异性;然后在氨气/氢气混合气中氮化,同时外加定向磁场;再将磁粉与粘结剂、加工助剂等复合材料混合均匀,采用涂覆或流延技术制成片状薄膜,同时外加定向磁场沿着粉体的易磁化方向进行取向,磁粉能够克服粘接体系的束缚,在磁场力作用下发生转动,使得磁粉易磁化轴沿外磁场方向有序排列,室温下干燥成型后,易磁化方向被固定在复合磁性薄膜的平面方向上,形成了磁织构化结构,制备出的具有磁织构化的各向异性氮化铁干扰抑制材料的电磁性能有较大提高。
搜索关键词: 一种 磁场 诱导 氮化 干扰 抑制 材料 制备 方法
【主权项】:
一种在磁场诱导下氮化铁干扰抑制材料,其特征在于先将还原铁粉进行扁平化处理,采用无氧环境退火时外加定向磁场,磁场热处理使其具有热磁各向异性和磁晶各向异性;然后在氨气/氢气混合气中氮化,同时外加定向磁场;再将扁平化处理后的铁粉与粘结剂以及加工助剂混合均匀,采用涂覆技术或流延技术制成片状薄膜,采用涂覆技术或流延技术成型时,直接加一个与薄膜方向平行的定向磁场,使得沿着粉体的易磁化方向进行取向,形成了磁织构化结构;选用偶联剂、增塑剂、分散剂中的一种或几种作为加工助剂。
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