[发明专利]用于GaN装置的基于导电性的选择性蚀刻和其应用有效
| 申请号： | 201610206389.4 | 申请日： | 2011-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN105821435B | 公开（公告）日： | 2018-10-16 |
| 发明（设计）人： | 荣格·韩;孙乾;张宇 | 申请（专利权）人： | 耶鲁大学 |
| 主分类号： | C25B1/00 | 分类号： | C25B1/00;C25F3/12;C30B29/40;C30B33/10;H01L21/02;H01L21/306;H01L21/3063;H01L33/00;H01L33/16;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 李春秀 |
| 地址： | 美国康*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本申请涉及用于GaN装置的基于导电性的选择性蚀刻和其应用。本发明涉及在大面积(>1cm2)上以受控孔直径、孔密度和孔隙率生成NP氮化镓(GaN)的方法。本发明还揭示基于多孔GaN生成新颖光电子装置的方法。另外揭示一种用以分离并产生独立式结晶GaN薄层的层转移方案，所述方案使得涉及衬底再循环的新装置制造模式成为可能。本发明揭示的其它实施例涉及基于GaN的纳米晶体的制造和NP GaN电极在电解、水分解或光合过程应用中的使用。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 gan 装置 基于 导电性 选择性 蚀刻 应用 | ||
【主权项】：
1.一种用于形成多孔氮化镓GaN的方法，所述方法包含：将在衬底上的n型GaN暴露于电解液，其中所述n型GaN的掺杂浓度大于2×1018cm‑3；将所述n型GaN耦合到电源的一个端子并将浸于所述电解液中的电极耦合到所述电源的另一个端子以由此形成电路；跨越所述端子施加第一电压；以及蚀刻所述n型GaN而不需要UV照明以使所述n型GaN的至少第一部分成孔化，其中所述电解液包含草酸、盐酸或氢氧化钾。
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