[发明专利]电致发光激励临界转变温度提高的MgB2基超导体及其制备方法有效
| 申请号： | 201610206412.X | 申请日： | 2016-04-05 |
| 公开（公告）号： | CN105788752B | 公开（公告）日： | 2018-04-13 |
| 发明（设计）人： | 赵晓鹏;陶硕;李勇波;陈国维 | 申请（专利权）人： | 西北工业大学 |
| 主分类号： | H01B12/00 | 分类号： | H01B12/00;H01B12/02;H01B12/04;H01B13/00;C04B35/58;C01B35/04;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 710072 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及电致发光激励临界转变温度提高的MgB2基超导体及其制备方法，利用Y2O3Eu3+发光体异位掺杂改变MgB2超导体临界转变温度。本发明采用水热法制备了两种不同发光强度的掺杂剂Y2O3Eu3+Ⅰ和Y2O3Eu3+II纳米棒，异位掺杂法制备Y2O3Eu3+发光体掺杂的MgB2基超导体。Y2O3Eu3+发光体所占质量分数为1％和2％。随着掺杂剂发光强度的增加，MgB2基超导体的Tc值不断增加。在无外界磁场的条件下，当用发光强度高的Y2O3Eu3+II发光体作为掺杂剂，且掺杂浓度为2％时，MgB2基超导体的Tc＝35.9K较纯MgB2的Tc＝35.8K高。 | ||
| 搜索关键词： | 电致发光 激励 临界 转变 温度 提高 mgb sub 超导体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
电致发光激励临界转变温度提高的MgB2基超导体，其特征在于水热法制备得到两种不同发光强度的掺杂剂Y2O3:Eu3+Ⅰ和Y2O3:Eu3+Ⅱ，其中Y和Eu的摩尔比为0.95:0.05；异位掺杂法制备Y2O3:Eu3+Ⅰ和Y2O3:Eu3+Ⅱ发光体纳米棒掺杂MgB2基超导体，掺杂剂Y2O3:Eu3+Ⅰ和Y2O3:Eu3+Ⅱ的质量分数分别为1％、2％。
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