[发明专利]一种适于各种衬底形状的钙钛矿薄膜大面积制备方法有效
申请号: | 201610207716.8 | 申请日: | 2016-04-01 |
公开(公告)号: | CN105655447B | 公开(公告)日: | 2017-02-08 |
发明(设计)人: | 罗派峰;刘兆范;夏伟;周圣稳 | 申请(专利权)人: | 合肥工业大学 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司34101 | 代理人: | 何梅生,卢敏 |
地址: | 230009 安*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种适于各种衬底形状的钙钛矿薄膜大面积制备方法,其特征在于采用硝酸铅作为铅源、硫脲作为硫源、氨水作为络合剂,控制反应速度及温度,通过化学浴在任意形状衬底上生成硫化铅薄膜;再采用溶液浸泡法或化学气相沉积法转化为钙钛矿光吸收层薄膜材料。本发明采用化学浴结合溶液浸泡法或气相沉积法来制备钙钛矿光吸收层,具有成本低廉、操作简单、可大面积放大等优势,同时所制薄膜不受衬底形状及材质影响,可在曲面、球面等各种复杂形状刚性或柔性衬底上制备出高质量的钙钛矿薄膜。 | ||
搜索关键词: | 一种 适于 各种 衬底 形状 钙钛矿 薄膜 大面积 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种适于各种衬底形状的钙钛矿薄膜大面积制备方法,其特征在于包括如下步骤:1)将任意形状的刚性或柔性衬底清洗、吹干,备用;2)将硝酸铅、硫脲、氨水和去离子水加入烧杯中,搅拌溶解,获得硫化铅反应溶液;3)将步骤1)处理后的衬底放入步骤2)制备的硫化铅反应溶液中,然后放入水浴锅中反应,即在衬底表面生成PbS薄膜;反应结束后取出、用去离子水冲洗表面、吹干,备用;4)将PbS薄膜与CH3NH3I粉末作为反应物,通过化学气相沉积法获得钙钛矿光吸收层CH3NH3PbI3薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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