[发明专利]改善鳍式场效应管性能的方法在审
| 申请号： | 201610208067.3 | 申请日： | 2016-04-05 |
| 公开（公告）号： | CN107293489A | 公开（公告）日： | 2017-10-24 |
| 发明（设计）人： | 李勇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/324 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 高静,吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种改善鳍式场效应管性能的方法，包括形成覆盖衬底表面以及鳍部侧壁表面的隔离层，所述隔离层暴露出第一厚度的鳍部；对高于隔离层的鳍部进行退火处理，所述退火处理适于提高所述鳍部顶部拐角的圆滑度，其中，所述退火处理在含有H2的氛围下进行；在进行所述退火处理之后，去除第二厚度的隔离层形成隔离结构；在形成所述隔离结构之后，对所述高于隔离结构的鳍部进行氧化处理，在鳍部的顶部和侧壁表面形成氧化层。本发明通过退火处理改善鳍部顶部拐角区域的圆滑度，使得形成的氧化层厚度均匀性得到提高，同时还避免鳍部底部的宽度尺寸变大，因此形成的鳍式场效应管的可靠性和电学性能均得到提高。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 场效应 性能 方法 | ||
【主权项】：
一种改善鳍式场效应管性能的方法，其特征在于，提供衬底，所述衬底表面形成有分立的鳍部；形成覆盖所述衬底表面以及鳍部侧壁表面的隔离层，所述隔离层顶部低于鳍部顶部，所述隔离层暴露出第一厚度的鳍部；对所述高于隔离层的鳍部进行退火处理，所述退火处理适于提高所述鳍部顶部拐角的圆滑度，其中，所述退火处理在含有H2的氛围下进行；在进行所述退火处理之后，去除第二厚度的隔离层形成隔离结构；在形成所述隔离结构之后，对高于所述隔离结构的鳍部进行氧化处理，在鳍部的顶部和侧壁表面形成氧化层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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