[发明专利]基于NPSS的窄带通GaN基MSM结构紫外探测器有效

专利信息
申请号: 201610208217.0 申请日: 2016-04-01
公开(公告)号: CN105702773B 公开(公告)日: 2017-08-01
发明(设计)人: 王俊;郭进;王国胜;吴浩然;王唐林;宋曼;易媛媛;谢峰 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第三十八研究所
主分类号: H01L31/108 分类号: H01L31/108;H01L31/0304
代理公司: 北京中企鸿阳知识产权代理事务所(普通合伙)11487 代理人: 刘葛,郭鸿雁
地址: 230088 安徽*** 国省代码: 安徽;34
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明基于NPSS的窄带通GaN基MSM结构紫外探测器涉及一种半导体光电子器件。其目的是为了提供一种基于NPSS的窄带通GaN基MSM结构紫外探测器,该紫外探测器通过阻挡势垒结构对探测器的输运模式进行选择,同时采用先进的NPSS技术,进而达到全面提高窄带通紫外探测器性能的目的。本发明一种基于NPSS的窄带通GaN基MSM结构紫外探测器,自下而上依次包括衬底、缓冲层、N型吸收层和肖特基电极;其中于肖特基电极的中间开有缺口,于所述肖特基电极的缺口处、N型吸收层的上方还依次包括N型势垒层和N型短波过滤层。
搜索关键词: 基于 npss 窄带 gan msm 结构 紫外 探测器
【主权项】:
一种基于NPSS的窄带通GaN基MSM结构紫外探测器,自下而上依次包括:衬底、缓冲层、N型吸收层和肖特基电极;其中于肖特基电极的中间开有缺口,于所述肖特基电极的缺口处、N型吸收层的上方还依次包括N型势垒层和N型短波过滤层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第三十八研究所,未经中国电子科技集团公司第三十八研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610208217.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top