[发明专利]半导体元件及其制作方法有效
| 申请号： | 201610209522.1 | 申请日： | 2016-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN107275399B | 公开（公告）日： | 2022-06-28 |
| 发明（设计）人： | 李凯霖;李志成;黄昱豪 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明较佳实施例公开一种制作半导体元件及其制作方法。该制作方法包括：首先提供一基底，然后形成一鳍状结构于基底上，形成一栅极结构于鳍状结构上，形成一凹槽于栅极结构两侧，最后再形成一外延层于凹槽内，其中依据一俯视角该外延层包含一V型轮廓。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种制作半导体元件的方法，包含：提供一基底；形成一鳍状结构于该基底上；形成一栅极结构于该鳍状结构上；形成一外延层于该栅极结构两侧，其中依据一俯视角该外延层包含一V型轮廓。
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