[发明专利]高产率高纯度MoO2粉体的制备方法有效
申请号: | 201610210367.5 | 申请日: | 2016-04-06 |
公开(公告)号: | CN105858726B | 公开(公告)日: | 2017-10-31 |
发明(设计)人: | 李汉青;彭志坚;钱静雯;申振广;符秀丽 | 申请(专利权)人: | 中国地质大学(北京) |
主分类号: | C01G39/02 | 分类号: | C01G39/02 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 100083*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及一种高产率高纯度MoO2粉体的制备方法,属于材料制备技术领域。本发明在真空加热炉中,通过热蒸发气相迁移技术,以三氧化钼和硫粉为原料,在真空环境中、在载气带动下,采用非混合式的渐进反应方法,一步还原合成得到高产率、高纯度的MoO2粉末。该方法具有合成条件严格可控、设备和工艺简单、产品收率高、成本低廉、安全、环保等优点。所获得的MoO2粉体粒度均匀、纯度高,易于存贮和再加工。这种MoO2粉体在冶金、催化剂、锂离子电池等方面具有广泛的应用前景。 | ||
搜索关键词: | 高产 纯度 moo sub 制备 方法 | ||
【主权项】:
高产率、高纯度MoO2粉体的制备方法,其特征在于,所述方法在真空加热炉中,通过热蒸发气相迁移技术,以三氧化钼和硫粉为原料,在真空环境中、在载气带动下,采用非混合式的渐进反应方法,一步还原合成得到高产率、高纯度的MoO2粉末,包括以下步骤:(1)在真空加热炉中,将分别装有市售分析纯MoO3粉和S粉的氧化铝陶瓷坩埚放置在炉中央的加热区域;其中装S粉的氧化铝陶瓷坩埚放在气流上方,装有MoO3粉的陶瓷坩埚放在气流下方,二者相距5‑15cm;且MoO3粉的晶粒尺寸在2~5μm之间,MoO3粉和硫粉的质量比控制在1:1到1:5之间;(2)在加热前,先用真空泵对整个系统抽真空至10‑2Pa以下,然后向系统中通入纯度在99.99vol.%以上的惰性载气氩气或氮气,并重复多次,直到排除系统中的残余空气;然后以10‑35℃/min速率升温到800‑1100℃,并保温1‑4小时;在整个加热过程中,在真空泵持续工作的前提下保持载气流量为50‑250标准立方厘米每分钟,且整个加热过程在惰性载气保护下完成,直至自然降温到室温,即可在装有MoO3粉的坩埚中得到高纯MoO2粉体。
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