[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201610210757.2 | 申请日： | 2016-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN107275400B | 公开（公告）日： | 2019-12-31 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/265 |
| 代理公司： | 11227 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 高静;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：形成基底，所述基底包括：衬底和位于衬底上的鳍部；在所述衬底上形成隔离层，所述隔离层覆盖鳍部侧壁，暴露出鳍部顶部表面；形成隔离层后，进行第一离子注入，所述注入离子为第一离子；进行第一离子注入之后，刻蚀所述隔离层暴露出鳍部部分侧壁，形成隔离结构；进行第二离子注入，所述注入离子为第二离子，所述第二离子和第一离子为反型离子，第二离子的注入剂量大于第一离子的注入剂量。由于鳍部内的第二离子与第一离子为反型离子，鳍部顶部内的第一离子容易与鳍部顶部的第二离子发生复合，使鳍部顶部内的载流子浓度降低，从而减小鳍部顶部与侧壁内的载流子浓度差，改善晶体管的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：/n形成基底，所述基底包括：衬底和位于衬底上的鳍部；/n在所述衬底上形成隔离层，所述隔离层覆盖鳍部侧壁，且暴露出鳍部顶部表面；/n形成隔离层后，对所述鳍部的顶部进行第一离子注入，所述注入离子为第一离子；/n进行第一离子注入之后，刻蚀所述隔离层暴露出鳍部部分侧壁，形成隔离结构；/n进行第二离子注入，所述注入离子为第二离子，所述第二离子和第一离子为反型离子，第二离子的注入剂量大于第一离子的注入剂量；/n形成横跨所述鳍部的栅极结构，所述栅极结构覆盖所述鳍部部分侧壁和顶部表面。/n
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