[发明专利]用于金属布线的自对准双重图案化工艺有效
| 申请号： | 201610211455.7 | 申请日： | 2016-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN106057654B | 公开（公告）日： | 2018-01-23 |
| 发明（设计）人： | 袁磊;桂宗郁;H·J·莱文森 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司11314 | 代理人： | 程伟,王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明揭露用以形成位于导电线之间并连接该导电线的金属布线的自对准双重图案化工艺。实施例包括在介电层上方形成硬掩膜；形成包括位于该硬掩膜上的多个平行线性元件的图案化模板，其中，该硬掩膜暴露于相邻平行线性元件之间；形成覆盖该相邻平行线性元件及它们之间的间隙的部分的块体掩膜；通过该块体掩膜以及定义多条平行线的该图案化模板蚀刻该硬掩膜的暴露部分；移除该块体掩膜以及该图案化模板；在该硬掩膜上方形成截切掩膜，以定义垂直于并连接两条相邻平行线的开口；通过该截切掩膜蚀刻该硬掩膜并移除该截切掩膜；通过该硬掩膜在该介电层中蚀刻凹槽；移除该硬掩膜；以及使用导电材料填充该凹槽。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 金属 布线 对准 双重 图案 化工 | ||
【主权项】：
一种制造半导体装置的方法，该方法包括：在介电层上方形成硬掩膜；形成包括设于该硬掩膜上的多个平行线性元件的图案化模板，其中，该硬掩膜暴露于相邻平行线性元件之间；形成覆盖该相邻平行线性元件及该相邻平行线性元件之间的间隙的部分的块体掩膜；通过该块体掩膜以及定义多条平行线的该图案化模板蚀刻该硬掩膜的暴露部分；移除该块体掩膜以及该图案化模板；在该硬掩膜上方形成截切掩膜，以定义垂直于并连接两条相邻平行线的开口，其中，形成该截切掩膜还定义垂直于该两条相邻平行线并位于该两条相邻平行线的端部的功率线；通过该截切掩膜蚀刻该硬掩膜并移除该截切掩膜；通过该硬掩膜在该介电层中蚀刻凹槽；移除该硬掩膜；以及使用导电材料填充该凹槽。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
