[发明专利]芯片失效分析过程中的剥层方法在审
| 申请号： | 201610211567.2 | 申请日： | 2016-04-05 |
| 公开（公告）号： | CN105699149A | 公开（公告）日： | 2016-06-22 |
| 发明（设计）人： | 林晓玲;恩云飞;梁朝辉 | 申请（专利权）人： | 工业和信息化部电子第五研究所 |
| 主分类号： | G01N1/28 | 分类号： | G01N1/28 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 万志香 |
| 地址： | 510610 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种芯片失效分析过程中的剥层方法，包括如下步骤：(1)提供芯片，所述芯片具有多层结构，且包括至少一层目标分析层，所述目标分析层包括待分析区域；(2)利用离子束自所述芯片的表面开始进行剥层处理，去除所述目标分析层之上的一层或多层，露出所述待分析区域，即可，其中，所述离子束包括至少一束宽束离子束，束斑直径不小于1mm。该剥层方法，采用至少一束宽束离子束形成的离子束，可获得较为均一的剥层加工面，避免了单束的高能聚焦离子束直接打在芯片表面，造成目标分析区域的损伤，有效提高了剥层的精度，同时还扩大了加工范围，剥层效率高。 | ||
| 搜索关键词： | 芯片 失效 分析 过程 中的 方法 | ||
【主权项】：
一种芯片失效分析过程中的剥层方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)提供芯片，所述芯片具有多层结构，且包括至少一层目标分析层，所述目标分析层包括待分析区域；(2)利用离子束自所述芯片的表面开始进行剥层处理，去除所述目标分析层之上的一层或多层，露出所述待分析区域，即可，其中，所述离子束包括至少一束宽束离子束，束斑直径不小于1mm。
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