[发明专利]半导体结构的形成方法

摘要

一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底；在基底上形成栅极结构；在栅极结构顶部形成保护层；在栅极结构的侧壁和保护层上形成停止层；在栅极结构之间的基底上形成暴露出停止层的介质层；采用等离子干法刻蚀工艺刻蚀去除保护层顶部的停止层，等离子体以间断的方式进行刻蚀，使对保护层的刻蚀速率小于对停止层的刻蚀速率。由于间断的方式可以降低等离子的能量，使能量介于去除停止层所需能量和去除保护层所需能量之间，从而使等离子体对保护层的刻蚀速率小于对停止层的刻蚀速率。当部分区域有停止层残留而继续对残留停止层进行刻蚀时，可以减少对露出的保护层的损耗，或避免因保护层损耗过多而引起栅极结构受损，从而提高半导体器件的电学性能。

主权项

一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底；在所述基底上形成栅极结构；在所述栅极结构顶部形成保护层；在所述栅极结构的侧壁和保护层上形成停止层；在所述栅极结构之间的基底上形成介质层，所述介质层暴露出所述保护层上的停止层；采用等离子干法刻蚀工艺刻蚀去除所述保护层顶部表面的停止层，所述等离子体干法刻蚀工艺中，所述等离子体以间断的方式对所述停止层进行刻蚀，使所述等离子体对所述保护层的刻蚀速率小于对所述停止层的刻蚀速率。