[发明专利]自启动的偏置电流源电路有效

专利信息
申请号: 201610213609.6 申请日: 2016-04-07
公开(公告)号: CN107276575B 公开(公告)日: 2020-07-10
发明(设计)人: 朱恺 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
主分类号: H03K17/687 分类号: H03K17/687
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 张振军;吴敏
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 一种自启动的偏置电流源电路,包括启动电路和偏置电路,偏置电路包括第一偏置点和第二偏置点,启动电路包括:第一NMOS管,源极接地,栅极与第二偏置点耦接,漏极与控制节点耦接;第一PMOS管,源极耦接电源,漏极与第一NMOS管的漏极耦接;短接电路,第一端耦接第一偏置点,第二端耦接第二偏置点,控制端耦接控制节点;选择性连通电路,用于控制所述第一PMOS管在上电后导通,以使所述控制节点的信号控制所述短接电路连通第一偏置点和第二偏置点,使得偏置电路的基准电流上升至预设基准电流值,并控制第一PMOS管在偏置电路的基准电流达到预设基准电流值后截止。本发明的方案能够降低其中的启动电路的功耗。
搜索关键词: 启动 偏置 电流 电路
【主权项】:
一种自启动的偏置电流源电路,包括:启动电路和偏置电路,所述偏置电路包括第一偏置点和第二偏置点,其特征在于,所述启动电路包括:短接电路、选择性连通电路、第一PMOS管和第一NMOS管;所述第一NMOS管的源极接地,栅极与所述第二偏置点耦接,漏极与控制节点耦接;所述第一PMOS管的源极与电源耦接,漏极与所述第一NMOS管的漏极耦接;所述短接电路的第一端耦接所述第一偏置点,所述短接电路的第二端耦接所述第二偏置点,所述短接电路的控制端耦接所述控制节点;所述选择性连通电路用于控制所述第一PMOS管在上电后导通,以使所述控制节点的信号控制所述短接电路连通所述第一偏置点和所述第二偏置点,使得所述偏置电路的基准电流上升至预设基准电流值,并控制所述第一PMOS管在所述偏置电路的基准电流达到预设基准电流值后截止。
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