[发明专利]真空腔体装置和处理硅片的方法有效
| 申请号： | 201610215070.8 | 申请日： | 2016-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN107275249B | 公开（公告）日： | 2020-05-05 |
| 发明（设计）人： | 郝术壮;穆玉海 | 申请（专利权）人： | 东方晶源微电子科技（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/677 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 胡良均 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于在第一压力环境和第二压力环境之间传递硅片的真空腔体装置，所述真空腔体装置包括：壳体、第一门阀、第二门阀以及能够支撑多个硅片的硅片支撑装置。通过第一门阀能够连通或切断第一压力环境和真空腔，第二门阀能够连通或切断第二压力环境和真空腔。本发明的真空腔体装置结构简单，操作快捷，能够提高产量。 | ||
| 搜索关键词： | 空腔 装置 处理 硅片 方法 | ||
【主权项】：
一种用于在第一压力环境和第二压力环境之间传递硅片的真空腔体装置，所述真空腔体装置包括：壳体，限定真空腔；第一门阀，设置在壳体上，配置成能够连通第一压力环境和真空腔以便第一压力环境和真空腔处于相同大体相同的压强下，或切断第一压力环境和真空腔之间的联通以便真空腔能够保持预定真空状态；第二门阀，设置在壳体上，配置成能够连通第二压力环境和真空腔以便第二压力环境和真空腔处于相同大体相同的压强下，或切断第二压力环境和真空腔之间的联通以便真空腔能够保持所述预定真空状态；硅片支撑装置，设置在所述真空腔内部，用于支撑多个硅片；其中硅片支撑装置配置成包括多层硅片支撑结构，每层硅片支撑结构用于支撑一个硅片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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