[发明专利]用于沟槽功率MOSFET的自对准接头

摘要

本发明的实施例提出了一种沟槽功率MOSFET器件的自对准接头。该器件具有一个氮化层，位于栅极沟槽中导电材料上方，以及每两个邻近的接触结构之间的那部分台面结构上方。还可选择，该器件具有一个氧化层，在栅极沟槽中的导电材料上方，以及每两个邻近的接触结构之间的那部分台面结构上方。要强调的是，本摘要是为了满足摘要的要求，允许研究人员或其他读者快速掌握技术方案的主旨内容。提交本专利应理解，它不会被用来解释或限制权利要求书的范围或含义。

主权项

1.一种制备半导体器件的方法，其特征在于，该方法包含：在半导体衬底上方，制备一个硬掩膜层；通过刻蚀硬掩膜层部分和硬掩膜层部分下方的半导体衬底，形成栅极沟槽；刻蚀剩下的硬掩膜层部分，在半导体衬底上方，形成若干个垫片支架为接触结构预留位置；沿栅极沟槽内侧壁，形成绝缘衬里；通过在栅极沟槽中填充导电材料，制备一个栅极电极；在栅极电极上方，制备一个氧化层；制备一个本体区和一个源极区；在去除接触结构的垫片支架之前，沉积一个绝缘层，覆盖在接触结构的垫片支架以及邻近的垫片支架之间的半导体衬底上方，其中所述的绝缘层是可以抵抗刻蚀接触结构垫片支架工艺的材料。