[发明专利]一种半导体器件及其制备方法、电子装置

摘要

本发明涉及半导体技术领域，具体而言涉及一种半导体器件及其制备方法、电子装置。所述方法包括：提供基底，在所述基底上形成有若干相互间隔设置的鳍片，在所述基底上还形成有具有凹槽的隔离材料层，所述隔离材料层覆盖所述鳍片并通过所述凹槽露出所述鳍片的上端；在所述鳍片和所述隔离材料层上依次形成介电层和功函数层；在所述功函数层上沉积阻挡层，在沉积所述阻挡层的过程中进行原位重掺杂；沉积金属材料，以填充所述凹槽，在所述功函数层上形成金属电极。通过所述重掺杂的阻挡层的设置，很好的解决了金属电极中的杂质进入所述功函数层的问题，使得所述功函数层更加稳定，进而提高了器件的性能和良率。

主权项

1.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：/n基底；/n若干鳍片，相互间隔的设置于所述基底上；/n隔离材料层，位于所述基底上并覆盖所述鳍片，其中，所述隔离材料层中形成有凹槽，以露出所述鳍片的上端；/n功函数层，位于露出的所述鳍片上；/n阻挡层，位于所述功函数层上；/n金属电极，位于所述凹槽中所述阻挡层的上方；/n其中，所述阻挡层中原位重掺杂有掺杂离子，以防止所述金属电极中的杂质进入所述功函数层。/n