[发明专利]一种散射层的制备方法、有机发光二极管

摘要

本发明提供一种散射层的制备方法、有机发光二极管，散射层的制备方法包括在基底上制备具有若干个孔洞结构的掩膜板；在掩膜板的孔洞结构内沉积具有第一折射率值的材料；完成沉积具有第一折射率的材料后，去掉掩膜板，从而在基底上形成若干个突起结构；在若干个突起结构之间沉积具有第二折射率值的材料，形成平坦层，其中，所述平坦层用于将若干个突起结构平坦化，从而在基底上制备出由若干个突起结构和平坦层组成的散射层，其中第二折射率值大于第一折射率值。本发明的制备方法具有制备过程简单、成本低，通过控制突起结构的形状、数量等可控因素即可以实现对散射层的散射效果的精准控制等优点。

主权项

一种散射层的制备方法，其特征在于，所述方法包括：在基底上制备具有若干个孔洞结构的掩膜板；在掩膜板的孔洞结构内沉积具有第一折射率值的材料；完成沉积具有第一折射率值的材料后，洗去掩膜板，从而在基底上形成若干个突起结构；在若干个突起结构之间沉积具有第二折射率值的材料，形成平坦层，所述平坦层用于将若干个突起结构平坦化，从而在基底上制备出由若干个突起结构和平坦层组成的散射层，其中第二折射率值大于第一折射率值；其中，所述在基底上制备具有若干个孔洞结构的掩膜板步骤包括：在基底上采用开放式掩膜板，通过真空蒸镀或者物理气相沉积法制备具有与开放式掩膜板的图案相同的铝膜；对制备出的铝膜进行第一次阳极氧化，并洗去氧化生成的氧化铝，形成具有若干个六方密堆积结构的凹槽的铝膜；将具有若干个六方密堆积结构的凹槽的铝膜进行第二次阳极氧化，直至将凹槽下方的铝全部氧化形成孔洞结构为止。