[发明专利]一种功率半导体模块及其自保护方法有效
| 申请号： | 201610216853.8 | 申请日： | 2016-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN107275394B | 公开（公告）日： | 2020-08-14 |
| 发明（设计）人： | 刘国友;覃荣震;黄建伟;吴义伯;余伟;戴小平 | 申请（专利权）人： | 株洲中车时代电气股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L23/58 |
| 代理公司： | 湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008 | 代理人： | 赵洪 |
| 地址： | 412001 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种功率半导体模块及其自保护方法，在第一金属化区与第二金属化区之间，或功率半导体芯片的发射极母排与集电极母排之间的功能单元。当功率半导体模块正常工作时，电流从集电极母排经第二金属化区流至功率半导体芯片，再经第一金属化区流至发射极母排。当功率半导体芯片工作时的发热使得功率半导体模块的内部上升至一定温度时，从集电极母排流过的电流通过功能单元直接流至发射极母排，而不再流过功率半导体芯片。本发明描述的功率半导体模块及其自保护方法无需外围控制电路参与，具有超温度自动保护功能，能够有效地保护功率半导体芯片因为过热而失效，同时降低了控制电路的复杂性，提高了系统工作的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 半导体 模块 及其 保护 方法 | ||
【主权项】：
一种功率半导体模块，其特征在于，包括：衬板或基板(9)；形成于所述衬板或基板(9)表面之上的金属化区(7)，所述金属化区(7)包括与发射极母排(13)相连的第一金属化区(11)，以及与集电极母排(14)的第二金属化区(12)；与所述金属化区(7)相连的功率半导体芯片(3)；所述功率半导体模块(1)还包括设置在所述第一金属化区(11)与第二金属化区(12)之间，或所述功率半导体芯片(3)的发射极母排(13)与集电极母排(14)之间的功能单元(10)；当所述功率半导体模块(1)正常工作时，电流从所述集电极母排(14)经所述第二金属化区(12)流至所述功率半导体芯片(3)，再经所述第一金属化区(11)流至发射极母排(13)；当所述功率半导体芯片(3)工作时的发热使得所述功率半导体模块(1)的内部上升至一定温度时，从所述集电极母排(14)流过的电流通过所述功能单元(10)直接流至所述发射极母排(13)，而不再流过所述功率半导体芯片(3)。
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