[发明专利]一种基于MEMS工艺的二维薄膜气体流量传感器及其加工方法在审
| 申请号： | 201610218958.7 | 申请日： | 2016-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN105806430A | 公开（公告）日： | 2016-07-27 |
| 发明（设计）人： | 夏敦柱;徐磊 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | G01F1/684 | 分类号： | G01F1/684;G01F1/692;B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 唐红 |
| 地址： | 210096 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开一种基于MEMS工艺的二维薄膜气体流量传感器及其加工方法：从上往下依次包括有薄膜掩蔽层、薄膜电阻结构、第一薄膜悬空隔离层、硅基底层和第二薄膜悬空隔离层；第一薄膜悬空隔离层衬于硅基底层上方，第二薄膜悬空隔离层衬于硅基底层下方，第一薄膜悬空隔离层的外表面上设有薄膜电阻结构；薄膜电阻结构包括薄膜测温电阻和薄膜加热电阻，薄膜加热电阻位于薄膜悬空隔离层的中心位置，薄膜测温电阻位于薄膜加热电阻延展方向的两侧；硅基底层上开设有反应刻蚀沟槽。本发明体积小，重量轻，精度高，响应速度快，功耗低，可批量生产等特点，预期可广泛应用于用于航空航天、交通、电力、冶金、节能减排等领域，具有极为广阔的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 mems 工艺 二维 薄膜 气体 流量传感器 及其 加工 方法 | ||
【主权项】：
一种基于MEMS工艺的二维薄膜气体流量传感器，其特征在于：从上往下依次包括有薄膜掩蔽层、薄膜电阻结构、第一薄膜悬空隔离层、硅基底层和第二薄膜悬空隔离层；所述第一薄膜悬空隔离层衬于硅基底层上方，第二薄膜悬空隔离层衬于硅基底层下方，第一薄膜悬空隔离层的外表面上设有薄膜电阻结构；所述薄膜电阻结构包括薄膜测温电阻和薄膜加热电阻，薄膜加热电阻位于薄膜悬空隔离层的中心位置，薄膜测温电阻位于薄膜加热电阻延展方向的两侧；所述薄膜掩蔽层沉积于薄膜电阻结构的外表面；所述硅基底层上开设有反应刻蚀沟槽。
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