[发明专利]发光二极管及其制作方法有效
| 申请号： | 201610219566.2 | 申请日： | 2016-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN105742427B | 公开（公告）日： | 2017-12-22 |
| 发明（设计）人： | 舒立明;叶大千;刘晓峰;高文浩;王良均;吴超瑜;王笃祥 | 申请（专利权）人： | 天津三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300384 天津*** | 国省代码： | 天津;12 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种发光二极管及其制作方法，其中所述发光二极管包括N型层、发光层、P型层和接触层，在P型层和接触层之间设计插入层，该插入层由掺杂区域间断分布的N+氮化物层、P+氮化物层构成，且N+氮化物层、P+氮化物层中掺杂区域在垂直方向上不完全重合；该插入层中掺杂区域间断分布的N+氮化物层与P+氮化物层形成斜向遂穿结，增强电流扩展，提高LED亮度及可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
发光二极管，包括：N型层、发光层、P型层、接触层及形成于所述P型层与接触层之间的插入层，其特征在于：该插入层由在横向上掺杂区域间断分布的N+氮化物层、P+氮化物层构成，所述N+氮化物层、P+氮化物层在该插入层中形成斜向遂穿结，增强电流扩展。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于天津三安光电有限公司，未经天津三安光电有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610219566.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种LED外延结构及其制备方法
- 下一篇：聚光电池模组的封装结构
