[发明专利]以ZnO纳米墙网络作为电子注入层的钙钛矿LED及制备方法有效
| 申请号： | 201610220011.X | 申请日： | 2016-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN105789398B | 公开（公告）日： | 2017-07-21 |
| 发明（设计）人： | 史志锋;李新建;孙旭光;吴翟;许婷婷 | 申请（专利权）人： | 郑州大学 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 郑州优盾知识产权代理有限公司41125 | 代理人： | 董晓慧 |
| 地址： | 450001 河南*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明提供一种以ZnO纳米墙网络作为电子注入层的钙钛矿LED及制备方法，能有效限制器件中漏电流的产生，降低载流子发生非辐射复合的几率，最终实现高外量子效率钙钛矿绿光LED的制备。所述钙钛矿LED包括透明导电的衬底，衬底上依次设有n型的ZnO纳米墙网络、CH3NH3PbBr3发光层、p型的空穴提供层以及电极。本发明利用二维ZnO纳米墙网络作为钙钛矿绿光LED的电子注入层，利用其纳米墙网络框架结构来限制溶剂干燥阶段钙钛矿前驱液的扩散，以此提升CH3NH3PbBr3发光层的表面覆盖率。可以克服传统钙钛矿LED的不足，对器件中漏电流的产生通道进行有效抑制，从而促进电注入下载流子的高效率辐射复合。 | ||
| 搜索关键词： | zno 纳米 网络 作为 电子 注入 钙钛矿 led 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种以ZnO纳米墙网络作为电子注入层的钙钛矿LED，包括透明导电的衬底（1），其特征在于：衬底（1）上依次设有n型的ZnO纳米墙网络（2）、CH3NH3PbBr3发光层（3）、p型的空穴提供层（4）以及电极（5）；所述透明导电的衬底（1）是厚度为120~140纳米的ITO或FTO导电玻璃衬底，其电阻率为10‑3~10‑4欧姆∙厘米， n型的ZnO纳米墙网络（2）是通过MOCVD两步生长法制备的。
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