[发明专利]包括用于沉浸光刻装置的真空清除的环境系统

摘要

本发明涉及包括用于沉浸光刻装置的真空清除的环境系统。一种用于控制光学组件(16)与晶圆(30)之间间隙(246)中环境的环境系统(26)包括流体屏障(254)和沉浸流体系统(252)。流体屏障(254)位于晶圆(30)附近。沉浸流体系统(252)输送充满间隙(246)的沉浸流体(248)。沉浸流体系统(252)收集直接位于流体屏障(254)与晶圆(30)之间的沉浸流体(248)。流体屏障(254)可以包括位于晶圆(30)附近的清除入口(286)，并且沉浸流体系统(252)可以包括与清除入口(286)流体连通的低压源(392A)。流体屏障(254)限制沉浸流体(248)的任何蒸汽(249)并且防止它干扰测量系统(22)。另外，环境系统(26)可以包括在流体屏障(254)与晶圆(30)之间引导轴承流体(290C)以相对于晶圆(30)支撑流体屏障(254)的轴承流体源(290B)。

主权项

1.一种用于曝光衬底的沉浸曝光装置，其特征在于，所述沉浸曝光装置包括：最后光学元件，所述最后光学元件被设置成在曝光期间是位在所述衬底上方；以及容器元件，所述容器元件被设置成围绕所述最后光学元件以将沉浸液体容纳于定义在所述衬底和所述最后光学元件之间的空间中，其中，所述容器元件包括：第一入口，所述第一入口被设置成将所述沉浸液体从所述容器元件下方移除；出口，所述出口相对于所述空间自所述第一入口辐射地向外配置，用以供应流体到所述容器元件下方；以及第二入口，所述第二入口相对于所述空间自所述出口辐射地向外设置，用以将所述流体从所述容器元件下方移除，其中所述容器元件具有底部表面，所述底部表面在曝光期间配置成面对所述衬底，所述第一入口被设置在所述底部表面处以将所述沉浸液体从在所述底部表面和所述衬底之间的间隙移除，以及其中设有所述容器元件，使得在所述曝光期间，在为所述第一入口配置之处的所述底部表面和所述衬底之间的距离是比在所述最后光学元件的端面和所述衬底之间的距离还短。