[发明专利]HEMT外延片的制作方法及制备HEMT外延片的设备在审
| 申请号： | 201610222125.8 | 申请日： | 2016-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN105655396A | 公开（公告）日： | 2016-06-08 |
| 发明（设计）人： | 李东昇;丁海生;陈善麟 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰微电子股份有限公司;杭州士兰明芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 310012*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种HEMT外延片的制作方法及制备HEMT外延片的设备，提供具有若干个反应腔室的设备，将成核层固定于一个反应腔室内生长，将缓冲层固定于另一个腔体内生长，将沟道层和势垒层固定于其他反应腔室内生长，可以有效地防止反应腔室内残留物挥发回熔对其他薄膜层质量的影响，从而提高HEMT外延层的晶体质量，进一步减小HEMT器件所存在的电流崩塌效应和漏电流效应。 | ||
| 搜索关键词： | hemt 外延 制作方法 制备 设备 | ||
【主权项】：
一种HEMT外延片的制作方法，其特征在于，包括步骤：提供设备，所述设备包括m个反应腔室，其中m为自然数，且m≥3；提供支撑衬底，将所述支撑衬底置于第一反应腔室中，并在第一反应腔室中形成成核层；将形成有所述成核层的支撑衬底传输至第二反应腔室中，并在第二反应腔室中形成含有Ga元素的缓冲层，并对所述缓冲层进行掺杂；将形成有所述成核层及缓冲层的支撑衬底传输至剩余反应腔室中，并在剩余反应腔室中形成剩余薄膜层。
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