[发明专利]一种LED结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201610223934.0 | 申请日： | 2016-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN105655463B | 公开（公告）日： | 2018-09-18 |
| 发明（设计）人： | 李东昇;丁海生;马新刚 | 申请（专利权）人： | 杭州士兰明芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种LED结构及其制作方法，在形成电流扩展层之前先形成第一绝缘介质层，并在第一绝缘介质层上设置暴露至少部分P型半导体层的第二窗口，将电流扩展层设置于第二窗口之内，如此可解决钝化保护层在电流扩展层的侧壁密封性不佳的问题。同时，采用此种方式腐蚀电流扩展层时可以实现自对准功能，与现有技术相比，发光面积更稳定，LED结构的亮度一致性更高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 led 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种LED结构，其特征在于，包括衬底；外延层，所述外延层包括依次形成于所述衬底上的N型半导体层、有源层以及P型半导体层，所述外延层中形成有至少一个暴露所述N型半导体层的凹槽；第一绝缘介质层，所述第一绝缘介质层覆盖所述P型半导体层以及凹槽的表面，所述第一绝缘介质层中形成有暴露至少部分凹槽的第一窗口以及暴露至少部分P型半导体层的第二窗口；电流扩展层，所述电流扩展层仅形成于第二窗口暴露的P型半导体层的表面上；第二绝缘介质层，所述第二绝缘介质层直接覆盖所述第一绝缘介质层、电流扩展层和被第一窗口暴露的N型半导体层，所述第二绝缘介质层中形成有第一开孔和第二开孔；以及第一焊盘和第二焊盘，所述第一焊盘通过第一开孔与N型半导体层形成电连接，所述第二焊盘通过第二开孔与P型半导体层形成电连接。
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