[发明专利]单晶硅锭及晶圆的形成方法在审
| 申请号： | 201610224914.5 | 申请日： | 2016-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN107287655A | 公开（公告）日： | 2017-10-24 |
| 发明（设计）人： | 肖德元 | 申请（专利权）人： | 上海新昇半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B13/12 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 金华 |
| 地址： | 201306 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种单晶硅锭及晶圆的形成方法，采用区熔法形成单晶硅锭时，对熔融区中的硅通入含有氘元素的气体，使氘元素存储在单晶硅锭的间隙中，降低碳元素及其他杂质的含量；采用单晶硅锭形成晶圆后，在晶圆上形成器件时，氘元素能够扩散出，并与界面处的悬空键进行结合，形成较为稳定的结构，从而增加器件对热载流子的抵抗能力，降低漏电流，提高器件的性能与可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶硅 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种单晶硅锭的形成方法，其利用区熔法形成单晶硅锭，其特征在于，在熔融区的硅中通入含有氘元素的气体。
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