[发明专利]AMOLED像素驱动电路及像素驱动方法有效
申请号: | 201610225696.7 | 申请日: | 2016-04-12 |
公开(公告)号: | CN105741781B | 公开(公告)日: | 2018-10-26 |
发明(设计)人: | 聂诚磊 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | G09G3/3233 | 分类号: | G09G3/3233 |
代理公司: | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人: | 林才桂 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明提供一种AMOLED像素驱动电路及驱动方法,利用双栅极薄膜晶体管作为驱动薄膜晶体管,在预充电阶段使第一薄膜晶体管(T1)即驱动薄膜晶体管的底栅(BG)写入预设电压(Vpre),顶栅(TG)写入电源电压(VDD);在阈值电压编程阶段使第一薄膜晶体管(T1)的顶栅(TG)电压降低、而阈值电压升高,直至阈值电压提升至Vth=Vpre‑VOLED;在驱动发光阶段,第一薄膜晶体管(T1)的顶栅(TG)电压保持不变,维持其阈值电压仍为Vth=Vpre‑VOLED,数据信号(Data)驱动第一薄膜晶体管(T1)导通,使有机发光二极管(D1)发光,流过有机发光二极管(D1)的电流与第一薄膜晶体管(T1)的阈值电压和有机发光二极管(D1)的阈值电压都无关,既能够补偿阈值电压漂移,又能够简化数据信号。 | ||
搜索关键词: | amoled 像素 驱动 电路 方法 | ||
【主权项】:
1.一种AMOLED像素驱动电路,其特征在于,包括:第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、第四薄膜晶体管(T4)、第五薄膜晶体管(T5)、第一电容(C1)、第二电容(C2)、及有机发光二极管(D1);所述第一薄膜晶体管(T1)作为驱动薄膜晶体管,所述第二薄膜晶体管(T2)作为开关薄膜晶体管;所述第一薄膜晶体管(T1)为双栅极薄膜晶体管,其底栅(BG)电性连接于第一节点(B),顶栅(TG)电性连接于第三节点(T),漏极电性连接于第二节点(D),源极电性连接于有机发光二极管(D1)的阳极;第二薄膜晶体管(T2)的栅极接入第一扫描控制信号(S1),源极接入数据信号(Data),漏极电性连接于第一节点(B);第三薄膜晶体管(T3)的栅极接入第二扫描控制信号(S2),源极接入预设电压(Vpre),漏极电性连接于第一节点(B);第四薄膜晶体管(T4)的栅极接入第三扫描控制信号(S3),源极接入电源电压(VDD),漏极电性连接于第二节点(D);第五薄膜晶体管(T5)的栅极接入第二扫描控制信号(S2),源极电性连接于第三节点(T),漏极电性连接于第二节点(D);第一电容(C1)的一端电性连接于第一节点(B),另一端接地;第二电容(C2)的一端电性连接于第三节点(T),另一端接地;有机发光二极管(D1)的阳极电性连接于第一薄膜晶体管(T1)的源极,阴极接地。
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