[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法和显示装置有效
| 申请号： | 201610226727.0 | 申请日： | 2016-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN105789284B | 公开（公告）日： | 2018-08-28 |
| 发明（设计）人： | 梁凌燕;谢玉芳;曹鸿涛;吴卫华;张胜男;王妹 | 申请（专利权）人： | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
| 主分类号： | H01L29/66 | 分类号： | H01L29/66;H01L29/786;H01L21/336;G02F1/136 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 郑小粤 |
| 地址： | 315201 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜晶体管及其制备方法和显示装置，其中薄膜晶体管包括衬底、栅电极层、栅介质层、沟道层、源电极层和漏电极层。其中，沟道层为锌锡氮薄膜；锌锡氮薄膜的化学式为：ZnxSnyNz；x为锌锡氮薄膜中锌元素的原子含量，y为锌锡氮薄膜中锡元素的原子含量，z为锌锡氮薄膜中氮元素的原子含量。其通过采用锌锡氮薄膜作为沟道层的薄膜晶体管除了可应用于平板显示，同时还可应用于光发射和宽光谱光电探测领域等。最终有效解决了传统的薄膜晶体管的应用较为单一，应用范围具有一定的局限性的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制备 方法 显示装置 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括衬底、栅电极层、栅介质层、沟道层、源电极层和漏电极层；其中，所述栅电极层形成于所述衬底表面；所述栅介质层形成于所述栅电极层表面；所述沟道层形成于所述栅介质层表面；所述源电极层和所述漏电极层均形成于所述沟道层表面，且所述源电极层与所述漏电极层之间具有间隔；或所述沟道层形成于所述衬底表面；所述栅介质层形成于所述沟道层表面；所述源电极层和所述漏电极层分别形成于所述沟道层未被所述栅介质层覆盖的表面，且所述源电极层和所述漏电极层分别位于所述栅介质层的两侧；所述栅电极层形成于所述栅介质层表面；其中，所述沟道层为锌锡氮薄膜；所述锌锡氮薄膜的化学式为：ZnxSnyNz；x为所述锌锡氮薄膜中锌元素的原子含量，y为所述锌锡氮薄膜中锡元素的原子含量，z为所述锌锡氮薄膜中氮元素的原子含量。
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